防爆性能/定格(TIIS)
| 防爆性能 |
Exia ⅡB T4 |
| 設置場所 |
危険場所(特別危険箇所(旧0種場所)設置可能) |
| 本安回路定格 |
許容電圧(Ui):13.7V/許容電流(Ii):72.9mA/許容電力(Pi):250mW |
本安回路内部キャパシタンス(Ci):4.5μF
本安回路内部インダクタンス(Li):2μH |
環境/試験性能
| 使用周囲照度 |
5,000lx以下 |
| 使用周囲温度 |
-20~+50℃(氷結しないこと) |
| 使用周囲湿度 |
35~85%RH(結露しないこと) |
| 保護構造 |
IP54 |
| 耐振動 |
10~55Hz 複振幅1.5mm X、Y、Z方向 各2時間 |
| 耐衝撃 |
100m/s2 X、Y、Z方向 各2回 |
| 耐電圧 |
AC1,000V 1分間 充電部一括-ケース間 |
| 絶縁抵抗 |
DC500Vメガ 10MΩ以上 |
|
|
リフレクタの種類による検出距離
(形式:XGM2-M5)
| リフレクタの形式 |
検出距離 |
| K-8 |
0.3~7m |
| K-7 |
0.4~5m |
リフレクタ形の検出距離および検出物体は組み合わせるリフレクタの種類により値が変わります。また検出距離はリフレクタの設定可能距離を示します。検出物体の検出はセンサ直近でも可能です。 |